HPCVD-1000 高温高压化学气相沉积装置

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HPCVD-1000
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产品名称: HPCVD-1000 高温高压化学气相沉积装置

创境新生,驭变于微!集成1000℃高温与正负压环境,为您开启先进材料合成与改性新维度。

品牌名称: 北京中研环科 

销售平台: PRONOVATION | 普诺实验商城

核心优势

  • 高温高压联控,拓展材料合成边界: 集1000℃高温与正压/负压环境于一体,提供远超常规CVD的反应条件,显著促进前驱体裂解与沉积动力学,为您合成高质量金刚石薄膜、碳纳米材料及特种陶瓷提供强大动力。
  • 真空与压力自由切换,应用场景全覆盖: 系统可在高真空(5x10⁻⁴ Pa) 与正压环境间灵活切换,既能满足常规CVD制备对洁净环境的要求,也能实现高压退火、气氛烧结等特殊工艺,一机多用。
  • 工业级结构与精准温控,稳定可靠: 采用双层水冷不锈钢腔体与高纯石墨加热体,确保设备在极端条件下的长期稳定性。程序控温精度高,升温速率可控,保障实验的重复性与材料的一致性。
  • 模块化气路与安全设计,操作便捷安心: 配备多路质量流量计(MFC) 实现气体精准配比,集成过温、过压、漏电保护等多重安全联锁机制,确保复杂的材料合成过程安全、可控、易于重复。

产品概述

北京中研环科 HPCVD-1000 高温高压化学气相沉积装置,现由 PRONOVATION 普诺实验商城 为您提供。本装置不仅是一款材料合成设备,更是一个探索前沿材料的综合科研平台。它通过精确控制温度、压力与反应气氛,为金刚石、石墨烯、氮化硼等高性能薄膜与块体材料的制备,以及材料的表面改性、掺杂和热处理,提供了强大而灵活的解决方案,是推动新材料从实验室走向应用的得力工具。

技术规格

  • 品牌: 北京中研环科
  • 腔体设计: 双层水冷不锈钢结构
  • 温度范围: 最高 1000℃
  • 真空度: 最高 5x10⁻⁴ Pa
  • 压力范围: 支持负压(真空)至正压环境
  • 加热体: 高纯石墨
  • 气路系统: 多路质量流量计(MFC)控制
  • 安全系统: 过温、过压、漏电保护
  • 样品台: 定制化设计,可适配多种基片

典型应用

  • 超硬薄膜与涂层:高品质金刚石薄膜、立方氮化硼(c-BN)涂层的制备
  • 低维纳米材料:石墨烯、碳纳米管等材料的可控生长与掺杂
  • 半导体薄膜:硅基、宽禁带半导体外延膜的沉积
  • 材料表面工程:工模具、部件的耐磨、耐腐蚀涂层处理
  • 特种陶瓷与复合材料:在高压环境下进行新材料烧结与合成探索

工作原理图详见下图

HPCVD-1000 高温高压化学气相沉积装置的工作原理图

品牌:
北京中研环科原位表征系统定制